BSO215C

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
BSO215C P1
BSO215C P1
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Infineon Technologies ~ BSO215C

Artikelnummer
BSO215C
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSO215C
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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