BSM30GP60BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
BSM30GP60BOSA1 P1
BSM30GP60BOSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM30GP60BOSA1

Artikelnummer
BSM30GP60BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BSM30GP60BOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer BSM30GP60BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 180W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 300nA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V
Eingang Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

Verwandte Produkte

Alle Produkte