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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSD235N L6327 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 950mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Leistung max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSD235C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | - | 3000 | Einzelheiten |
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BSD235N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |