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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | BSC050NE2LSATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 39A (Ta), 58A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |