BCV29H6327XTSA1

TRANSISTOR AF SOT89-4
BCV29H6327XTSA1 P1
BCV29H6327XTSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BCV29H6327XTSA1

Artikelnummer
BCV29H6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANSISTOR AF SOT89-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BCV29H6327XTSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer BCV29H6327XTSA1
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 150MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket SOT-89-3

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