AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
AUIRF7343QTR P1
AUIRF7343QTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ AUIRF7343QTR

Artikelnummer
AUIRF7343QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer AUIRF7343QTR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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