AUIRF3808S

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
AUIRF3808S P1
AUIRF3808S P1
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Infineon Technologies ~ AUIRF3808S

Artikelnummer
AUIRF3808S
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AUIRF3808S
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 106A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5310pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 82A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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