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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 64-9146 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6580pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MT |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MT |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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64-0007 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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