2N7002DW L6327

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002DW L6327 P1
2N7002DW L6327 P1
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Infineon Technologies ~ 2N7002DW L6327

Artikelnummer
2N7002DW L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer 2N7002DW L6327
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6

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