SSD2025TF

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
SSD2025TF P1
SSD2025TF P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ SSD2025TF

Artikelnummer
SSD2025TF
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SSD2025TF
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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