IRLM210ATF

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
IRLM210ATF P1
IRLM210ATF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ IRLM210ATF

Artikelnummer
IRLM210ATF
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLM210ATF.pdf IRLM210ATF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRLM210ATF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 770mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.8W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 390mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-4
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

Verwandte Produkte

Alle Produkte