Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF540N_R4942 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 120W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 22A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRF540NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | 1926 | Einzelheiten | |
 |
IRF540NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB | 10832 | Einzelheiten | |
 |
IRF540NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | 2174 | Einzelheiten | |
 |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | 800 | Einzelheiten | |
 |
IRF540NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540N_R4942 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF540PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB | - | 4070 | Einzelheiten |