HUF76009D3ST

MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
HUF76009D3ST P1
HUF76009D3ST P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUF76009D3ST

Artikelnummer
HUF76009D3ST
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer HUF76009D3ST
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 41W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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