FQPF10N20

MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
FQPF10N20 P1
FQPF10N20 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQPF10N20

Artikelnummer
FQPF10N20
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQPF10N20.pdf FQPF10N20 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FQPF10N20
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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