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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQI27P06TU |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FQI27N25TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK | - | 1040 | Einzelheiten |
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FQI27N25TU-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK | - | 11352 | Einzelheiten |
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FQI27N25TU_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK | - | 738 | Einzelheiten |
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FQI27P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQI2N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQI2N80TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQI2N90TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQI2NA90TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQI2P25TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK | 0 | Einzelheiten |