Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQI13N50CTU

Artikelnummer	FQI13N50CTU
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	195W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I2PAK
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FQI10N20CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI10N60CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI11N40TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI11P06TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI12N50TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI12N60CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI12N60TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI13N06LTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI13N06TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI13N50CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK	-	880	Einzelheiten
FQI15P12TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK		0	Einzelheiten
FQI16N25CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK		0	Einzelheiten