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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQD30N06TM |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 945pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD30N06LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD30N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD30N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD30N06TF_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD30N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3 | - | 2500 | Einzelheiten |
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FQD3N30TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD3N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD3N40TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQD3N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQD3N50CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQD3N50CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQD3N60CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | - | 136503 | Einzelheiten |