Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FQD20N06LTM |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 8.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D-Pak |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |