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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQB30N06LTM |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.75W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 16A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FQB30N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | - | 12000 | Einzelheiten |
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FQB30N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQB32N12V2TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQB32N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQB33N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | - | 1600 | Einzelheiten |
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FQB33N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQB34N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FQB34N20TM-AM002 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | - | 45447 | Einzelheiten |
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FQB34N20TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQB34P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | - | 2400 | Einzelheiten |
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FQB34P10TM-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | - | 34154 | Einzelheiten |
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FQB34P10TM-F085P | ON Semiconductor | PMOS D2PAK 100V 60 MOHM | - | 6811 | Einzelheiten |