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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FQA8N80C_F109 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 220W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |