FDS6672A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS6672A P1
FDS6672A P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS6672A

Artikelnummer
FDS6672A
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDS6672A
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 14A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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