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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDS3812 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 634pF @ 40V |
| Leistung max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS2070N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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FDS2070N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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FDS2170N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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FDS2170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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FDS2572 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | - | 22500 | Einzelheiten |
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FDS2582 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC | - | 10000 | Einzelheiten |
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FDS2670 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | - | 2500 | Einzelheiten |
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FDS2672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 5000 | Einzelheiten |
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FDS2672-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 10418 | Einzelheiten |
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FDS2672_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 52500 | Einzelheiten |
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FDS2734 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC | - | 10000 | Einzelheiten |
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FDS3170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |