FDP22N50N

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
FDP22N50N P1
FDP22N50N P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDP22N50N

Artikelnummer
FDP22N50N
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDP22N50N
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 312.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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