FDMT800120DC

MOSFET N-CH 120V 20A/129A
FDMT800120DC P1
FDMT800120DC P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMT800120DC

Artikelnummer
FDMT800120DC
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDMT800120DC
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 129A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7850pF @ 60V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.14 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-Dual Cool™88
Paket / Fall 8-PowerVDFN

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