FDMB3800N

MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
FDMB3800N P1
FDMB3800N P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMB3800N

Artikelnummer
FDMB3800N
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDMB3800N
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 15V
Leistung max 750mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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