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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDD6N50FTM |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD6030L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK | - | 7500 | Einzelheiten |
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FDD6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK | - | 7500 | Einzelheiten |
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FDD6512A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FDD6530A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK | - | 2500 | Einzelheiten |
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FDD6606 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FDD6612A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK | 2500 | Einzelheiten | |
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FDD6630A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK | - | 2500 | Einzelheiten |
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FDD6632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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FDD6635 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FDD6637 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | - | 10000 | Einzelheiten |
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FDD6637-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | - | 16853 | Einzelheiten |
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FDD6637_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |