FDD3680

MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
FDD3680 P1
FDD3680 P2
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FDD3680 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD3680

Artikelnummer
FDD3680
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDD3680
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 68W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 6.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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