FDC6506P

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
FDC6506P P1
FDC6506P P2
FDC6506P P3
FDC6506P P1
FDC6506P P2
FDC6506P P3
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC6506P

Artikelnummer
FDC6506P
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FDC6506P PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer FDC6506P
Teilstatus Active
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Leistung max 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6

Verwandte Produkte

Alle Produkte