FCH099N60E

MOSFET N-CH 600V TO247
FCH099N60E P1
FCH099N60E P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FCH099N60E

Artikelnummer
FCH099N60E
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FCH099N60E
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3465pF @ 380V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 357W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3

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