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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXMP10A13FQTA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 141pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 600mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | - | 10000 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 3000 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 21000 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | - | 1000 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | - | 2500 | Einzelheiten |
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ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 | - | 27000 | Einzelheiten |
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ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 80000 | Einzelheiten |