ZXMC3AM832TA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
ZXMC3AM832TA P1
ZXMC3AM832TA P2
ZXMC3AM832TA P3
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ZXMC3AM832TA P3
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Diodes Incorporated ~ ZXMC3AM832TA

Artikelnummer
ZXMC3AM832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer ZXMC3AM832TA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Leistung max 1.7W
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2)

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