ZVP4525E6TA

MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6
ZVP4525E6TA P1
ZVP4525E6TA P2
ZVP4525E6TA P1
ZVP4525E6TA P2
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Diodes Incorporated ~ ZVP4525E6TA

Artikelnummer
ZVP4525E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer ZVP4525E6TA
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 197mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73pF @ 25V
Vgs (Max) ±40V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Fall SOT-23-6

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