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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | US1KSAFS-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 75ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SMA-FS |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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US1K M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 991571 | Einzelheiten |
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US1K R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 797628 | Einzelheiten |
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US1K-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1A SMA | - | 0 | Einzelheiten |
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US1K-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1A SMA | - | 20000 | Einzelheiten |
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US1K-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 0 | Einzelheiten |
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US1K-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 0 | Einzelheiten |
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US1K-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 800V 75NS DO-214AC | - | 0 | Einzelheiten |
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US1K-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 800V 75NS DO-214AC | - | 0 | Einzelheiten |
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US1K-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 5000 | Einzelheiten |
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US1KFA | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA | - | 0 | Einzelheiten |
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US1KHE3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 0 | Einzelheiten |
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US1KHE3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | - | 0 | Einzelheiten |