DMTH6016LPDQ-13

MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
DMTH6016LPDQ-13 P1
DMTH6016LPDQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH6016LPDQ-13

Artikelnummer
DMTH6016LPDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMTH6016LPDQ-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 864pF @ 30V
Leistung max 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8

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