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Diodes Incorporated ~ DMTH6009SPS-13

Artikelnummer	DMTH6009SPS-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12.9A (Ta), 89.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	29.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1572pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerDI5060-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMTH6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	-	72435	Einzelheiten
DMTH6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	-	0	Einzelheiten
DMTH6004LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	-	0	Einzelheiten
DMTH6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 100A TO220-3	-	20	Einzelheiten
DMTH6004SCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH	-	14400	Einzelheiten
DMTH6004SCTBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO263	-	0	Einzelheiten
DMTH6004SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK	-	10000	Einzelheiten
DMTH6004SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO252	-	0	Einzelheiten
DMTH6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8	-	0	Einzelheiten
DMTH6004SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8	-	0	Einzelheiten
DMTH6005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO220AB	-	0	Einzelheiten
DMTH6005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 90A DPAK	-	10000	Einzelheiten