DMT3011LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
DMT3011LDT-7 P1
DMT3011LDT-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT3011LDT-7

Artikelnummer
DMT3011LDT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer DMT3011LDT-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A, 10.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V
Leistung max 1.9W
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8 (Type K)

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