DMT3009LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
DMT3009LDT-7 P1
DMT3009LDT-7 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMT3009LDT-7

Artikelnummer
DMT3009LDT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DMT3009LDT-7 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DMT3009LDT-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Leistung max 1.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8 (Type K)

Verwandte Produkte

Alle Produkte