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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMP510DL-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24.6pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 310mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | - | 200000 | Einzelheiten |
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DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | - | 6000 | Einzelheiten |
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DMP57D5UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMP57D5UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMP58D0SV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563 | - | 0 | Einzelheiten |