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Diodes Incorporated ~ DMP213DUFA-7B

Artikelnummer	DMP213DUFA-7B
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	145mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	27.2pF @ 10V
Vgs (Max)	-8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	360mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	X2-DFN0806-3
Paket / Fall	3-XFDFN

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMP2100U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23	-	48000	Einzelheiten
DMP2100UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB	-	0	Einzelheiten
DMP2100UFU-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	-	0	Einzelheiten
DMP2100UFU-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	-	3000	Einzelheiten
DMP2101UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB	-	21008	Einzelheiten
DMP2104LP-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN	-	60000	Einzelheiten
DMP2104V-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563	-	0	Einzelheiten
DMP210DUDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963	-	410000	Einzelheiten
DMP210DUFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006	-	3000	Einzelheiten
DMP210DUFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006	-	0	Einzelheiten
DMP2110U-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SOT23 TR 1	-	783303	Einzelheiten
DMP2110U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V SOT23-3	-	6781	Einzelheiten