DMN62D1LFDQ-7

2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 3
DMN62D1LFDQ-7 P1
DMN62D1LFDQ-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN62D1LFDQ-7

Artikelnummer
DMN62D1LFDQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN62D1LFDQ-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.55nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN1212-3
Paket / Fall 3-UDFN

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