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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN62D1LFB-7B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 64pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X1-DFN1006-3 |
| Paket / Fall | 3-UFDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN | - | 129000 | Einzelheiten |
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DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | - | 10000 | Einzelheiten |
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DMN62D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | - | 228000 | Einzelheiten |
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DMN62D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A | - | 3000 | Einzelheiten |