DMN5L06DW-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
DMN5L06DW-7 P1
DMN5L06DW-7 P2
DMN5L06DW-7 P3
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DMN5L06DW-7 P5
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DMN5L06DW-7 P5
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN5L06DW-7

Artikelnummer
DMN5L06DW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer DMN5L06DW-7
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 280mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Leistung max 200mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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