DMN3032LFDB-7

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
DMN3032LFDB-7 P1
DMN3032LFDB-7 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN3032LFDB-7

Artikelnummer
DMN3032LFDB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer DMN3032LFDB-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)

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