Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN2300UFD-7

Artikelnummer	DMN2300UFD-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.21A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	67.62pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	470mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 900mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	X1-DFN1212-3
Paket / Fall	3-UDFN

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	-	168600	Einzelheiten
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	-	3000	Einzelheiten
DMN2004DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363	-	0	Einzelheiten
DMN2004K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3	-	24000	Einzelheiten
DMN2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523	-	0	Einzelheiten
DMN2004VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563	-	3000	Einzelheiten
DMN2004WK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3	-	15000	Einzelheiten
DMN2004WKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323	-	225000	Einzelheiten
DMN2005DLP4K-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN	-	12000	Einzelheiten
DMN2005K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3	-	156000	Einzelheiten
DMN2005LP4K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN	-	57000	Einzelheiten
DMN2005LPK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN	-	6000	Einzelheiten