DMN2020UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
DMN2020UFCL-7 P1
DMN2020UFCL-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2020UFCL-7

Artikelnummer
DMN2020UFCL-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN2020UFCL-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1788pF @ 10V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 610mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X1-DFN1616-6 (Type E)
Paket / Fall 6-PowerUFDFN

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