DMN2016LFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
DMN2016LFG-7 P1
DMN2016LFG-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2016LFG-7

Artikelnummer
DMN2016LFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN2016LFG-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V
Leistung max 770mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerUDFN
Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8

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