DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
DMN2013UFX-7 P1
DMN2013UFX-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2013UFX-7

Artikelnummer
DMN2013UFX-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN2013UFX-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V
Leistung max 780mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket W-DFN5020-6

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