DMN2008LFU-7

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
DMN2008LFU-7 P1
DMN2008LFU-7 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN2008LFU-7

Artikelnummer
DMN2008LFU-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer DMN2008LFU-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250A
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1418pF @ 10V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket U-DFN2030-6 (Type B)

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