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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMG6602SVTX-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V, 9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V, 420pF @ 15V |
| Leistung max | 840mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | - | 39000 | Einzelheiten |
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | - | 75000 | Einzelheiten |
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DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | 6000 | Einzelheiten | |
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DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR | - | 544749 | Einzelheiten |