DMG6301UDW-13

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
DMG6301UDW-13 P1
DMG6301UDW-13 P2
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Diodes Incorporated ~ DMG6301UDW-13

Artikelnummer
DMG6301UDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMG6301UDW-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 240mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27.9pF @ 10V
Leistung max 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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